用扫描电镜、交流阻抗谱和恒流充放电等方法,分析了电解刻蚀集流体铜箔对纳米硅和微晶石墨负极性能的影响.电解刻蚀后,铜箔表面形成了沟壑式形貌,与负极材料紧密接触;以0.1 C充放电,纳米硅和微晶石墨负极的首次充放电效率分别提高了7.0%和7.3%,第30次循环的放电比容量分别从192 mAh/g、325 mAh/g提高到217 mAh/g、358 mAh/g.
作 者： 樊星 郑永平 沈万慈 FAN Xing ZHENG Yong-ping SHEN Wan-ci  
作者单位： 清华大学材料科学与工程系,先进材料教育部重点实验室,北京,100084 
刊 名： 电池  ISTIC PKU
英文刊名： BATTERY BIMONTHLY 
年，卷(期)： 2009 39(3) 
分类号： TM912.9 
关键词： 集流体   铜箔   电解刻蚀   纳米硅   微晶石墨   负极  
机标分类号： TQ1 TM9 
机标关键词： 电解刻蚀集流体铜箔表面负极性能performancefoilcurrent collectorelectrolytic etching恒流充放电微晶石墨石墨负极纳米硅交流阻抗谱放电比容量充放电效率扫描电镜紧密接触负极材料循环沟壑 
基金项目： 国家科技支撑计划 
DOI：  

参考文献(10条)
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